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在简要描述了金属氧化物半导体 (MOS) 器件架构的演变以及对外延生长工艺的相应要求之后，该手稿描述了用于互补场效应晶体管 (CFET) 器件的复杂 Si/SiGe 多层堆叠的材料特性。 它們含有兩種不同的 Ge 濃度，並使用傳統製程氣體生長。 使用相對較高的生長溫度以獲得可接受的Si和SiGe生長速率。 當 Ge 濃度高達 40% 時，島嶼的生長仍然受到抑制。 將報道 Si/SiGe 多層堆疊的優異結構和光學材料特性，堆疊的頂部和底部分別具有多達 3 + 3 個 Si 通道。 晶格缺陷的存在/不存在已透過室溫光致發光測量得到驗證。 低溫下的光致發光測量用於研究各個子層的帶間發光，並說明 CFET 堆疊的光學材料品質。