使用平行偶極線霍爾效應系統萃取 CdTe、CdSeTe 和 CdSe 薄膜的電特性

使用高靈敏度平行偶極線 (PDL) 霍爾效應系統研究了沉積態 CdSe、沉積態和 CdCl2 處理的 Cd'Te 以及 CdCl2 處理的 CdSeTe/CdTe 薄膜的電性能。 PDL 霍爾提供交流和傳統直流磁場模式，具有更高的信噪比 (S/N)，可實現更可靠、更準確的測量。 詳細提供了 PDL 霍爾效應測量過程中使用的步驟。 薄膜的載子濃度、遷移率、電阻率、薄層電阻和多數載子類型（p 或 n）可以從霍爾測量中提取。 在 CdTe 薄膜的 IV 掃描過程中，透過電阻率測量觀察到了肖特基型行為。 將使用更適合樣品接觸的材料（例如金）來消除這種非歐姆行為。 這將提供改進的訊號以提取可靠的結果。