採用非接觸式電暈開爾文計量的鐵電 HfO2 薄膜測試和全晶圓測繪

這裡，艾德曼等人。 （文章編號 201700249）展示了使用非接觸式電暈開爾文計量技術在監測薄膜鐵電特性方面取得的突破。 正如矽摻雜 HfO₂ 薄膜的結果所證明的，該方法能夠實現非接觸式實時薄膜表徵，而無需製造傳統方法中使用的電容器測試結構。 所提出的方法引入了一種基於電暈電荷的鐵電薄膜極化方法。 結合表面電壓特性的開爾文探針測量，該技術可實現磁滯的非接觸式監測。 這種電荷電壓磁滯迴線和介電常數磁滯顯示在封面影像上。 結果證明了 3.5mol% Si:HFO₂ 薄膜中的鐵電行為和 11.3 mol% Si:HFO₂ 薄膜中的非鐵電行為。 此方法的一個非常重要的優點是用於均勻鐵電 HfO₂ 薄膜工程的全晶圓映射。 影像上的圖顯示了 Si:HFO₂ 薄膜中的表面電壓圖案，它反映了 TiN 覆蓋層蝕刻後的層流濕台流動圖案。