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小訊號表面光電壓 (SPV) 測量技術已應用於監測用於層轉移 SOI 製程的典型離子注入。 研究了這種 SPV 晶圓映射技術對劑量的敏感性、注入均勻性以及透過 1450Aå 表面氧化物將氫和氦注入 (100) 矽晶圓的可重複性。 觀察到所調查案例的歸一化靈敏度約為 1.2。 在氫注入晶圓上連續多天測量的重複性低於 0.5% 1-sigma 標準差。 所提出的小訊號 SPV 計量技術允許對 SOI 晶圓製造過程中的關鍵離子注入步驟進行線上 SPC 控制。