180nm BCD 技術的植入優化

180nm 雙極-CMOS-DMOS (BCD) 技術的關鍵部分是使用具有高貝塔值的 PNP 雙極元件。 宏觀和微觀光致發光成像（MacroPL、μPL）透過高強度照明激發半導體中的載流子，然後觀察輻射複合產生的較長波長的光子；使用了帶間發射和缺陷帶間發射。 使用顯微光致發光成像可以快速表徵位錯和其他抑制 PNP beta 的缺陷並採取糾正措施。