多層結構深度剖析的改良方法

一種改良的方法已被開發出來，用於溶解含有 GaAlAs 層的半導體材料。 這種改進的方法涉及交替應用陽極和陰極工藝，以產生用於載流子濃度測量的無砷表面。

透過比較傳統技術和改進技術所獲得的各種半導體結構的深度剖面，證明了此方法的優勢特性。

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