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不斷縮小 IC 元件的尺寸，導致在薄柵極氧化層中引入氮，以增加介電常數並改善閘極介電性能。 必須應用線上監控來控制氮氣量，以確保電氣行為隨著時間的推移是正確的。 歷史上，這種監測是透過橢圓偏振儀測量再氧化延遲 (D2R) 來進行的。 但是，這種方法不適合生產，因為它取決於初始氧化和再氧化的再現性，這意味著在這兩個特定的處理步驟中實施專門的統計製程控制 (SPC) 監控。 我們在此提出一種 D2R 的替代方法，用於透過快速熱處理 (RTP) 生長的 90 nm 技術閘極氧化物。 應用非接觸式計量技術，將開爾文探針表面電壓測量與表面電暈沉積相結合，在氮化步驟之後，界面捕獲電荷（