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我們展示了在先進 DRAM 生產晶圓的主動電容器單元區域中的 ZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ) 電介質堆疊上採集的微電暈 - 開爾文資料。 具體來說，我們將在圖案化晶圓上測量的微 SASS（自調節穩態）電壓數據與在 ZAZ 電介質疊層上類似獲取的數據進行比較。 透過比較，我們制定了一個模型，將主動區域微 SASS 電壓解釋為與 ZAZ 電介質疊層電容成正比。 此方法和隨附模型的驗證是透過測量生產基線來進行的，該生產基線顯示了對各種製程偏差的敏感度。 透過將線上活性單元面積微型 SASS 數據與末端電氣參數測量電容和擊穿電壓數據進行比較，可以實現進一步的驗證。 我們也證明，此方法（包括電暈充電和主動元件區域的測量）不會對最終裝置良率產生不利影響。