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透過應用原位化學表面鈍化，傳統的光電導衰變壽命測量技術被擴展為測量整個矽片上的體壽命圖。 透過比較基於氧化和化學鈍化表面的測量的壽命圖以及複合中心濃度與少數載流子壽命之間的線性相關性，證明了該技術的適用性。
