前驅氣體配比及燒成對APCVD氧化鋁矽表面鈍化的影響

使用高通量在線氣氛化學氣相沉積 (APCVD) 工具，我們以三甲基鋁 (TMA) 和 O₂ 前驅體為原料合成了非晶態氧化鋁 (AlO_x) 薄膜，每個晶圓的最大沉積厚度為 150 nm= 150 nm。 對於 p 型晶體矽 (c-Si) 晶圓，採用 APCVD Al2O_x 薄膜實現了優異的表面鈍化，在標準工業燒製步驟後，最佳最大有效表面複合速度 (S_{subid="sub;研究結果可能歸因於大量負電荷 (Qf ≈ –3 × 10¹² cm^–2）和低界面缺陷密度 (Ditsup10 10 400202020 e< id="">–1 cm^–2）由薄膜實現。此數據顯示 APCVD Al2Ox 在高效率、低成本工業太陽能電池中的應用潛力巨大。 （© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）}