使用平行偶極線霍爾效應系統研究高電阻 ZnO 薄膜的電氣性能

使用超靈敏 PDL 霍爾效應系統研究了沉積態、退火態和 CdCh 處理的 ZnO 薄膜的電氣特性。 薄膜的載流子濃度、遷移率和電導率是從霍爾效應測量中提取的。 先前透過射頻濺鍍沉積的較薄 ZnO 薄膜是絕緣的，無法從霍爾效應測量中獲得線性 1-V 響應或有用訊號。 在這項研究中，一些在不同基板溫度下沉積的較厚的 ZnO 薄膜表現出改善的 1V 響應和增強的霍爾訊號。 這使得能夠提取可靠的載子濃度和遷移率值。 在500∘C的基板溫度下沉積的750 nm厚的ZnO薄膜導致平均載子濃度為4.24×1013cm−3。 當薄膜在 500°C 真空下退火並進行 CdCl2 處理時，載子濃度進一步增加。