採用非接觸 SASS 技術研究高 K 介電性能

基於電介質脈衝電暈充電和使用振動 CPD 探針進行時間分辨電壓測量的非接觸式高 k 監測技術被應用於透過原子層沉積在 p 型 Si 上生長的堆疊 HfO2 層。 結果表明，這種方法可以將 C-V 型測量與隧道範圍內的高場電流測量相結合。 兩者的結合為閘極電介質的定量特性提供了一種強大的方法，可給出等效氧化物厚度 EOT 和洩漏指標 LI（電介質洩漏電流的對數測量值）。 當應用於不同 HfO2 厚度的偏差時，此方法給出了中間層的 EOT、HfO2 的介電常數和 HfO2 導帶偏移。