矽中Ti雙給體複合特性的研究

透過微波光電導衰減 (μ-PCD) 和表面光電壓 (SPV) 壽命測量技術研究了熔融鈦摻雜 Cz Si 晶片的複合性能。 結果發現，μ-PCD壽命與Si中Ti深能階參數作為雙施主複合中心計算的複合壽命直接相關。