歡迎洽詢產品資訊與報價
針對您的研究需求，提供專業諮詢與客製化解決方案
經過大約一年的時間進行了詳細的參數研究，以確定在線表面光電荷計量系統對於已建立的大容量 0.35 /spl mu/m CMOS 製程中使用的主要植入參數的測量靈敏度和可重複性。 關鍵的p溝道電晶體注入製程；閾值電壓調整和 Halo 用於表徵計量系統。 已經以統計精度測量了小至 1.5% 的劑量變化，從而可以即時量化製程控制的改進。 各種植入物的長期系統重複性低於 1% (1/spl sigma/)，從而可以即時突出顯示過程漂移或尖峰偏移的敏感可見性。