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結光電壓 (JPV) 方法在超淺植入 (USJ) 計量中的應用已有詳細記錄。 在本文中，我們報告了 JPV 方法在控制注入過程中的應用，該過程創建了與表面隔離的電活性層。 在此類結構中，四點探針 (4PP) 計量不可靠或不可能。 本文介紹了使用結光電電壓 (JPV) 方法獲得的結果，該方法針對這兩種工藝的表徵進行了優化，CMOS：透過屏蔽氧化物注入，然後退火，以及 MeV p 型高能量注入到 n 型摻雜基板中，然後退火。 JPV 方法考慮到誤差和必要的校正，無需額外的處理步驟即可對此類結構進行精確的高解析度對應。 JPV 測量所獲得的結果與破壞性離線分析測量工具相關。