等離子體浸沒離子注入矽中損傷模式的橫向測繪

對於透過等離子體浸沒離子注入（PIII）形成的精細結構淺結，可以透過遵循預定雷射曝光圖案的高能量短雷射脈衝來執行注入後退火。在這項工作中，我們在 p 型 (100) Si 晶圓上以 5e14-1e16 cm⁻² 劑量範圍進行了 2 kV BF₃ PIII。 PIII 之後是脈衝雷射退火 (PLA)，應用於重疊和非重疊雷射點曝光配置，並採用 0.4–0.6 J cm⁻² 範圍內的不同雷射能量注量。透過光調製反射率、微光致發光 (μ-PL) 和光譜橢圓光度術分析了 PIII 和 PLA 的效果。晶圓尺度圖和線掃描清楚地顯示了雷射圖案配置對退火的影響。我們證明，所應用的表徵方法的​​組合提供了有效的製造過程控制，並提供了有關缺陷水平、受損層厚度和載流子複合過程的有價值的資訊。