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透過對有意被銅污染的矽進行接觸電位差 (CPD) 和交流表面光電壓 (SPV) 測量，研究了矽表面上銅的電學表現。 相應的物理模型涉及銅誘導的表面態。 Cu 誘導的負表面電荷表現為 p 型 Si 中功函數的增加和表面耗盡勢壘 Vsb 的減少，以及 n 型 Si 中的增加。 Cu 的 SPV 表現是表面壽命 tau s 的縮短。 這些表現應該能夠在 1e8 原子/cm2 範圍內監測 Cu。 實際上，由於只有一小部分錶面銅具有電活性，因此並未達到此限制。 使用光學表面處理可以克服這一障礙，該處理可以電激活表面銅並隔離銅的貢獻。 透過這種方法，我們演示了使用 Vsb 在 1e9 原子/cm2 範圍內以及使用 tau s 在 1e10 原子/cm2 範圍內檢測銅。