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描述了測量 USJ 源極-汲極結構的四點探針 (4PP) 方塊電阻 (Rs) 的精確方法。 新方法利用彈性材料探針（EM探針）與矽表面形成非穿透性接觸。 探頭設計是運動學的，力是受控制的，以確保探頭材料的彈性變形。 選擇探針材料，使得大的直接隧道電流可以流過原生氧化物，從而形成低阻抗接觸。 對 SIMS 接面深度淺至 15 nm 的 USJ 注入 P+/N 結構進行了薄層電阻測量。 使用新的 EM 探針 4PP 方法獲得的薄層電阻值與預期一致。 在本文中，該方法將在各種植入的 USJ 結構上進行演示。