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提出了一種透過測量表面光電壓（SPV）作為光穿透深度的函數來確定長少數載子擴散長度L的程式。 該過程使用顯式 SPV 公式，適用於比光穿透深度長的擴散長度。 在高純度矽上獲得的結果證明了非接觸式晶圓級測量毫米範圍內的 L 值的新能力，超過晶圓厚度的 2.5 倍。 可以透過提高 SPV 訊號測量的精度來提高此係數。 該過程沒有先前 SPV 方法的基本限制，即擴散長度僅限於晶圓厚度的 70% 左右。
