深溝槽 0.18 μm 功率半導體元件位錯所產生的微光致發光成像

發表於: ASMC 2018 Annual Conference

年: 2018

作者: L. Jastrzebski, G. Nadudvari, D. T. Cseh, L. Roszol, G. Molnar, I. Lajtos

Micro-Photoluminescence ImagingDislocation GenerationSemiconductor DevicesDeep TrenchesWafer Fabrication

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