利用電荷輔助 KFM 和紫外光致發光對 4H-SiC 中屈服殺手缺陷的電活動進行微尺度成像

在這項工作中，我們比較了外延 4H-SiC 晶圓中良率殺手缺陷的非接觸式電荷電壓成像和紫外光致發光 (UV-PL) 成像。 兩項重要發現分別基於宏觀和微觀尺度成像。  1- 整個晶圓影像表明，三角形、倒塌和胡蘿蔔類別中只有一小部分 UV-PL 缺陷具有電活性。 2- 微觀尺度影像揭示了 PL 和電氣缺陷影像之間的相似性和差異。 首次提出，三角形缺陷內的微米解析度洩漏模式與參考文獻 1 的微觀結構建模一致。結果表明，致命缺陷內的耗盡層洩漏對應於暴露的 3C-SiC 多型體。 這種洩漏可能是由於 3C-SiC 的能隙為 2.2eV，而 4H-SiC 的能隙為 3.3eV。