使用磷擴散吸氣來減輕光和高溫引起的多晶矽片和 PERC 太陽能電池的退化

減少光和高溫誘導退化 (LeTID) 對於在高性能多晶矽 (multi-Si) 晶圓上製造的 PERC（鈍化發射極和背面電池）太陽能電池的工業成功非常重要。 儘管在理解降解動力學方面已經取得了很大進展，但在高溫（約 80°C，1 Sun）下多矽晶圓中導致 LeTID 的缺陷尚未確定。 在這項研究中，作者探討了使用磷擴散吸雜 (PDG) 來減少多矽晶圓和太陽能電池中 LeTID 的可能性。 透過測量 LeTID 前後多晶矽片中的光致缺陷濃度，作者觀察到 PDG 可以大幅降低平均缺陷濃度。 使用電感耦合等離子體質譜法進行的微量元素分析表明，來自鑄錠邊緣的多矽晶片的晶粒中含有高濃度的 Cu、Ni 和 Ti，這些晶粒比相鄰晶粒的降解程度更高。 為了探索 PDG 在多晶 PERC 太陽能電池中減少 LeTID，作者製造了具有兩種不同發射極輪廓的電池。 據觀察，回蝕嚴重擴散的發射極以獲得高薄層電阻可以改善太陽能電池的 LeTID 性能，這種效果很可能與晶圓內雜質濃度的降低有關。