CMP 製程後監測銅通孔結構和周圍電介質堆疊

本研究重點關注經過化學機械平坦化 (CMP) 製程的加工晶圓，特別強調監測以大約 45 μm 光柵圖案化的 Cu VIA 結構之間的電介質堆疊厚度。 利用光譜橢偏儀測定一維堆疊多層厚度，同時以成像光譜反射儀揭示橫向厚度輪廓。