歡迎洽詢產品資訊與報價
針對您的研究需求，提供專業諮詢與客製化解決方案
對製程溫度、幾何寬容度和雜質控制的必要限制導致 IC 製造中等離子體處理（即「乾」製程）的使用不斷增加。 氣體放電是等離子體處理的基礎，具有獨特的物理和化學特性，可實現或促進各向異性蝕刻、電介質沉積和離子注入等製程。
等離子體技術變得如此占主導地位，沒有它們，大多數當前和未來幾代的 IC 裝置都無法製造。 然而，隨著裝置尺寸的縮小，等離子體處理造成的任何損壞變得越來越令人擔憂。 觀察到的有害影響包括閘極氧化物損壞和電荷積聚引起的蝕刻輪廓變形 [1, 2]；氧化物和矽的污染，特別是重金屬的污染[3]；以及等離子體輻射對氧化物、Si-Si[O.sub.2] 界面和底層矽的損害 [4]。