莫爾 SOI 裝置的非接觸式 C-V 和光致發光測量

許多超摩爾 (MtM) 裝置使用絕緣體上矽 (SOI) 晶圓，包括功率元件和 CMOS 影像感測器。 非接觸式電容電壓 (CV) 和光致發光測量已廣泛用於表徵體矽晶圓上的電介質和少數載子壽命。 在本研究中，我們將這些測量擴展到超摩爾 (MtM) 絕緣體上矽 (SOI) 裝置晶圓。