超薄電介質的非接觸式 C-V 測量

在本文中，我們提出了一種用於矽上超薄電介質的非接觸式 C-V 技術。 此技術使用電介質的增量電暈充電和透過振動電容電極測量表面電位。 使用時間分辨測量產生微分準靜態 C-V 曲線。 該技術結合了跨導校正，可實現亞奈米範圍內相應的超低電氧化層厚度 (EOT) 測定。 它還提供了一種監測平帶電壓 V_FB、界面陷阱光譜 D_IT 和總介電電荷 Q_TOT 的方法。 該技術不僅被視為 MOS C-V 測量的替代品，而且還被視為水銀探針 C-V 測量的替代品。 此外，電暈 C-V 測量的 EOT 比光學測厚方法具有主要優勢，因為它不受水吸附和分子空氣污染物 MAC 的影響。 這些效應一直是超薄電介質光學計量的問題。