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這種非接觸式高 k 監測技術是基於差分準靜態 C-V，該差分準靜態 C-V 是使用時間分辨計量結合電暈充電和接觸電位差 (CPD) 測量而產生的。 該技術結合了跨導校正，可在高場範圍 (10MV/cm) 內進行測量，以提取與低至亞奈米範圍的超低等效電氧化物厚度 (EOT) 相對應的大介電電容。 它還提供了一種監測平帶電壓 VFB、界面陷阱光譜 DIT 和總介電電荷 dQTOT 的方法。 該技術不僅被視為 MOS C-V 測量的替代品，而且還被視為水銀探針 C-V 測量的替代品。 與光學方法相比，差動電暈 C-V 測量 EOT 具有重大優勢，因為它不受水吸附和分子空氣污染物 MAC 的影響。 這些效應一直是超薄電介質光學計量的問題。 所呈現的結果說明了該技術在最先進閘極電介質（包括 Si-O-N 和 HfO2）中的應用。