IC 產品晶圓小測試區域介電特性的非接觸充電電壓方法

我們提出了一種電表徵方法，用於監測半導體 IC 產品晶圓的微型 50 μm×70 μm 劃線測試點上的電介質。 此方法是電暈-開爾文計量學微尺度的延伸，用於直徑約 5 毫米的更大場地。 電暈充電和開爾文探針的小型化是在不犧牲精度或可重複性的情況下實現的。 該設備包含用於識別測試地點的機器視覺系統。 使用先進的閘極電介質和關鍵電氣參數（即電介質電容、洩漏、電介質電荷和平帶電壓）來展示微觀測試。 監測是非接觸式的，不會添加污染物或顆粒。 因此，測量完成後，產品晶圓可以返回晶圓廠進行進一步加工。