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對邏輯或記憶體生產線中高 k 電介質的電氣特性進行線上監控在半導體產業中變得越來越重要。 基於非接觸式電暈開爾文計量學可用於有效監測線上關鍵介電性能。 此外，我們也提出了這種計量學向微觀尺度的重要擴展，允許在小至 40μm × 70μm 的測試場地上測量介電性能。 這是透過電暈充電裝置和開爾文探針的小型化來實現的，而不犧牲精度或可重複性。 Corona-Kelvin 顯微計量技術可以直接監控產品晶圓上的關鍵介電特性，然後將其送回晶圓廠繼續加工。 給出了先進電介質的電介質電容和氧化物-氮化物-氧化物 (ONO) 記憶體結構的特性的應用範例。 在後一種情況下，我們演示了透過電暈充電實現的 ONO 結構的編程和擦除。 我們也使用測得的平帶電壓和總電荷來確定 ONO 結構中第一個 SiO2/Si3N4 界面處編程電荷的位置。