外延 SiC 中的非接觸式摻雜分析

我們提出了一種非常快速、非接觸且無需準備的方法來確定碳化矽外延層中的摻雜濃度和摻雜深度分佈。 該方法是最近獲得專利的 Q²-V 技術的延伸。 它利用空氣中的電暈放電，以精確控制的電荷劑量 ΔQₑ 為外表面充電。 電暈充電後，使用振動探頭對錶面電位 V 進行非接觸式測量。 一系列充電和測量步驟產生 Q²-V 圖，對於均勻摻雜，該圖滿足線性關係。 對於非均勻摻雜，深度剖面是透過導數 dQ²/dV 獲得的，類似於導數電容法。