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Corona-Kelvin 計量學已成功應用於外延 GaN、SiC 和異質外延 AlGaN/GaN 的高精度非接觸式電氣表徵，而無需製造測試結或蕭特基二極體。 使用恆定表面電位電荷沉積方法，對於 ND=2.9e17cm-3 的 n 型 GaN 和 ND=9.0e15cm-3 的 n 型 SiC，證明了具有 0.05% STDEV 的優異摻雜重複性和 0.1% STDEV。 對於 AlGaN/GaN，結果顯示電暈-開爾文 2DEG 分析與標準汞探針 CV (MCV) 測量具有良好的相關性。 然而，新穎的基於電荷的技術展示了使用「充電到耗盡」對 2DEG 片電荷的獨特量化。 氧化 GaN 的結果展示了包括 Dit 光譜在內的界面表徵。