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與超大規模和千兆級整合相關的週期時間和成本需求推動了所有處理領域對具有成本效益、快速且準確的線上表徵技術的需求。 這裡介紹的工作討論了新一代非接觸式工具的功能，包括低劑量（<1.0E12 cm/sup -2/）和低能量（<10 keV）注入監測。 在這些條件下，傳統的 Thermawave 和薄層電阻技術不夠靈敏，無法可靠地用於植體監測。 特別是，進行了 Quantox 表面光電壓 (SPV)、SDI-近表面摻雜 (NSD) 和載流子照明 (CI) 測量。 低劑量(＜1E12 cm/sup -2/)研究集中於用於定義CMOS元件的閾值電壓的硼注入。 能量範圍為 1 至 13 keV 的硼植入物也用於研究此技術監測低能量性能的能力。 由於測量是非破壞性的，並且可以在圖案化晶圓上進行，因此這些技術有可能用於線上註入監測。