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在這項工作中，我們使用改良的非接觸式電暈開爾文技術對 SiC 介電界面進行了新穎的光輔助表徵。 該技術消除了與電氣測試結構製造相關的成本和時間。 深度耗盡中的紫外線照明用於產生少數載子，其清空深層界面態的速度太慢而無法透過熱發射清空。 照射後，透過時間分辨電壓衰減來測量界面態充電電流。 這使得能夠對涉及慢界面態的電洞發射和電子捕獲過程進行新穎的非接觸電暈-開爾文表徵。 這種新穎的應用補充了介電、界面和半導體參數的標準電暈-開爾文測量。