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非視覺缺陷 (NVD) 是一類半導體材料和製程所造成的缺陷，會導致電氣故障，但無法用視覺晶圓偵測工具偵測到。 本文概述了我們的非接觸式電氣 NVD 計量技術，該計量技術使用帶有標準毫米分辨率開爾文探針表面電壓映射的快速全晶圓檢測。 在先進的方法中，使用力開爾文探針顯微鏡以高解析度（μm 範圍）繪製檢測到的 NVD。 透過電暈-開爾文方法進行深入的 NVD 表徵，該方法可量化缺陷部位的介電和界面特性。 該表徵是在電暈充電的非侵入性注量範圍內進行的，並且所有測量都是非接觸式的，並且不需要製造測試設備。 透過與矽 IC、矽光伏和寬頻隙外延 SiC 相關的範例展示了廣泛的應用範圍。