監測發射器場效應鈍化的新型非接觸式方法

我們報告了一種全面的非接觸式測量 p 型和 n 型基極矽太陽能電池發射極場效應鈍化的方法。 電暈充電電壓技術廣泛用於矽 IC 生產線，以自動化順序使用，並具有兩個互補測量，可監測發射極中電荷引起的複合變化。 準穩態微波光電導衰減 QSS-μPCD 測量衰減壽命 τeff、注入水平 Δn 和發射極飽和電流 J0。 紫外線和藍色交流表面光電壓 (UV-SPV) 提供了類似短波長量子效率的鈍化指示劑。 給出了對稱 n + 和 p + 射極測試晶圓的 τeff、Seff、J0 和 UV-SPV 場效應特性，量化了電荷、極性以及 n + 和 p + 發射極之間差異的影響。 新發現包括場效應磁滯和充電引起的發射極退化現象，類似於 MOS 元件中的應力引起的退化。