標準 C-V 中不可見的深陷阱寬帶隙界面的光輔助電暈電荷表徵

寬頻隙半導體技術因其在高功率電子領域的基本優勢而受到廣泛關注。 對界面性質的理解和有效控制屬於一組需要取得進展的關鍵問題。 在這項工作中，我們報告了寬頻隙界面表徵的進展，該進展是在深度耗盡中的電暈電荷偏壓產生的非平衡條件下利用深陷阱的光電離來實現的。 這種表徵能力在氧化 n 型外延 SiC 上得到了證明，其深界面陷阱在標準 C-V 中不可見。 這些陷阱最初以高密度存在，但在濕退火後減少了一半。 光電離技術被納入市售的非接觸式 C-V (CnCV) 計量中 [1,2]，提供一種非侵入式、節省成本和時間的計量，有利於開發研究和設備製造。