非接觸性表徵 SiGe 的光電方法

發表於: Fifth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures ICSI-5)

年: 2008

作者: E. Tsidilkovski, K. Steeples

SurfacephotovoltageElectronic propertiesStrainMulti-layer structureSemiconductorsCharacterisation

一種新的非破壞性測量方法，用於表徵 Si_{1 −}_xGe_x 基底多層結構，包括 SiGe 外延層和鄰近的應變矽外延層已開發出來。此方法基於小訊號表面光電壓技術，可以測量頂部外延層的鍺濃度和厚度。開發了新的實體模型和測量演算法。給出了一組具有不同鍺濃度和矽層厚度值的 SiGe 樣品的測量結果。計算了混晶特徵參數－能隙對Ge含量的依賴性係數。

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