用於矽元件內嵌埋缺陷檢測的光致發光

在這項工作中，介紹了一種新穎的基於成像光致發光的計量方法，該方法有望應用於半導體製造過程中矽元件中埋藏缺陷的檢測。 理論和實務方面都進行了討論。 實現了一種新的計量工具，並透過現實半導體樣品進行了徹底測試，以揭示所建議方法的功能。 根據結果，可以透過光學方法檢測小至亞微米尺寸範圍的缺陷，並透過截面透射電子顯微鏡影像證實。