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我們提出了一種與傳統微波光導衰減 (MW-PCD) 測量相結合的線上光致發光成像的新實現。 同步 MW-PCD 壽命測量可以作為光致發光成像測量的原位校準，將 CCD 或 CMOS 相機捕獲的 PL 影像轉換為高解析度載流子壽命圖。 目前的工作重點是 PLI 方法在切割多晶矽片檢測的應用。 切割晶圓表面狀況的變化（尤其是鋸切損壞區域的特性）可能會導致不受控制的 PL 訊號電平，這取決於損壞區域的實際特性，而不是塊體的電氣品質。 蝕刻掉頂層可能會使 PL 訊號增加 2-3 倍。 我們表明，儘管損傷區域影響 MW-PCD 瞬變的幅度，但根據衰減曲線評估的壽命與表面損傷區域的特性無關。 因此，利用MW-PCD在實際切割晶圓上測量的壽命值作為PL影像校準的參考，所得的PLI壽命圖與表面損傷層無關。