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使用開爾文探針測量對壓電極化脈衝的表面電壓反應，為研究極化誘導片狀電荷和 2DEG 的動力學提供了獨特的方法。 結合電暈沉積電荷從積累到深度耗盡的表面偏壓以及相應的非接觸 C-V 型表徵，該技術將表面能帶彎曲和界面陷阱確定為影響壓電極化幅度和時間衰減的關鍵因素。 對於 2DEG 結構，當 2DEG 完全填充時，可以觀察到表面電位釘扎。 透過負電暈充電來完全耗盡 2DEG 來釋放釘扎。 這些結果與表面態的作用一致。 目前演示的偏振調製和晶圓級測量將影響 AlGaN/GaN 2DEG 結構的深入表徵和基本理解。