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我們首次成功地將電暈充電非接觸式 C-V 和 I-V 計量技術應用於高 k/III-V 結構的界面和介電特性。 此計量方法在 Si IC 製造中常用，在電介質表面使用增量電暈電荷劑量 ΔQC，並使用開爾文探針測量表面電壓響應 ΔVS。 其在具有高 k 堆疊的 In0.53Ga0.47As 中的應用需要與電介質陷阱感應電壓瞬變效應相關的修改。 所開發的電暈電荷開爾文探針計量採用嚴格的差分測量，使用 ΔQC 和 ΔV 以及相應的差分電容，而不是基於總全局電荷 Q 和電壓 V 值的測量。
提供了包含 In0.53 Ga0.47 As 通道覆蓋的樣品的電氣特性數據，包括界面陷阱密度、電氧化物厚度和介電洩漏。雙層（2nm Al2O3/5nm HfO2）電介質堆疊被認為在具有高遷移率通道的高性能 NFET 中的應用非常有前景。