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微波光電導衰減 (μ-PCD) 和表面光電壓 (SPV) 技術已被證明是鑑定半導體塊體材料的強大方法。 它們最適用於材料質量均質的標準晶圓。 然而，這兩種方法在測量外延層 (epi) 晶圓或絕緣體上矽 (SOI) 結構時都有其限制。 在其傳統實作中，SPV 測量受到主動層厚度的限制。 另一方面，在高摻雜基板上生長的外延層通常不會在 μ-PCD 測量中產生足夠高的訊號。
