使用微波光電導衰減定量氧化 p 型矽片中的銅測量

我們提出了一種使用微波光電導衰減 (⁠μ-PCD) 技術來測量 p 型矽中微量銅污染的方法。 此方法基於間隙銅的沉澱，由高強度光激活，從而增強少數載流子複合活性。 透過將 μ-PCD 測量與瞬態離子漂移和全反射 X 射線螢光測量進行比較，我們表明增強的複合率與 Cu 濃度之間存在定量相關性。 結果顯示該方法能夠測量低至 1010cm−3⁠的 Cu 濃度。 如果在氧化的晶片表面上使用電暈電荷，則晶片的儲存時間沒有限制，因為電荷可以防止銅向外擴散。 我們簡要討論了氧化物沉澱物在銅沉澱和載流子複合過程中的作用。