SiC、GaN 和 AlGaN/GaN HEMT 電荷和光輔助非接觸電學表徵的最新進展

基於電荷的電暈-開爾文非接觸計量最初是為 Si IC 製造而開發的，最近已擴展到寬能隙半導體。 我們討論了這種擴展的原理和關鍵應用，即：SiC 和 GaN 上的高精度摻雜劑測量； AlGaN/GaN HEMT 結構中的二維電子氣表徵； SiO₂、SiN 和 Al₂O₃外延層的界面和介電特性；氧化SiC的綜合界面不穩定性表徵；以及使用電荷輔助表面電壓技術進行缺陷的全晶圓圖繪製。 這組強大的測量是在不製造任何測試結構或電氣接觸的情況下執行的。 目前正在推出相應的商業工具。 基於矽 IC 的歷史案例，我們相信這種方法將為研究和製造流程控制提供增強的測試，同時降低成本和快速資料回饋，從而有利於寬頻隙裝置技術。