太陽能矽中點缺陷及其複合物的複合

生長狀態下的電子級直拉矽和浮區矽具有非常低的複合發生中心濃度（通常<10¹⁰ cm⁻³）。 因此，在使用這種材料的積體電路技術中，電活性無意雜質和結構缺陷很少可檢測到。 對廉價光伏電池的追求導致了太陽能應用中低純度矽、多晶材料和低成本加工的使用。 以這種方式製造的細胞具有顯著的外在重組機制。 在本文中，我們回顧了單晶和多晶太陽能矽中涉及缺陷和雜質的複合。 我們這項工作的主要技術是使用微波檢測光電導衰減和深能階瞬態光譜 (DLTS) 的變體進行重組壽命映射測量。 特別是，我們使用拉普拉斯 DLTS 來區分孤立點缺陷、小沉澱物複合體和裝飾擴展缺陷。 我們比較了太陽能矽中一些常見金屬污染物的行為及其對載子壽命和電池效率的影響。 最後，我們考慮氫鈍化與過渡金屬污染物、晶界和位錯的關係。 我們的結論是，通過點缺陷的複合可能很重要，但在大多數多晶材料中，主要的複合路徑是透過晶粒內的裝飾位錯簇，對晶界的整體複合貢獻很小。