多結太陽能電池的 n 型和 p 型摻雜 GaInP、AlInP 和 AlGaInP 的折射率和消光係數

p 型、n 型和名目上未摻雜 (Al_xGa_1−x)_yIn_1−yP 層的光譜範圍。研究的層的成分和摻雜劑濃度使其在 III-V 橢圓光度法進行測量，並且無論成分和摻雜如何，它們的光學響應均使用由兩個不對稱組成的相同模型介電函數進行建模Tauc-Lorentz 振盪器和 3D-M₀ Adachi 項。 結果表明，躍遷能量值隨層組成的變化而變化，而對於相同材料的層（即GaInP或AlInP），帶隙躍遷能量E₀顯示出對有序參數的強烈依賴性。 從橢偏資料推導出來的折射率和對同一層進行反射率測量，並取得了良好的一致性，從而驗證了針對此類材料提出的