柵氧化層等離子損傷的良率與可靠性影響之間的關係

我們報告了天線測試儀測得的閘極氧化層損壞與生產晶片的良率損失和可靠性下降之間的直接相關性。 探討了產量損失的大​​小與可靠性失效之間的關係。 我們透過建模和實驗驗證證明，等離子體充電損壞通常會導致良率損失和長期可靠性下降，但對短期可靠性影響很小。

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