缺陷光致發光成像（DPLI）在 IC 加工的應用綜述

發表於: 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT) proceedings

年: 2019

作者: L. Jastrzebski, R. Duru, D. Le-Cunff, M. Cannac S. Joblot, I. Mica, M.L.Polignano, A.Galbiati, P. Monge Roffarello,G. Nadudvari, Z. Kiss, I. Lajtos, A. Pongracz, G. Molnár, M. Nagy, L. Dudás, P. Basa, B.Greenwood, J.Gambino

crystal defectsdefect inspectionIon ImplantationPhotoluminescence Imagingprocess monitoringDeep Trenches

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由於Si是間接帶隙材料，聲子輔助帶間（B2B）輻射複合（能量等於Si的能隙）產生的PL非常弱；比激發光子通量低約 10 個數量級 [1]。如果有晶體缺陷，則在室溫下會產生額外的寬缺陷 PL 峰 (DPL)，其能量小於 Si [1]、[2]、[3] 的帶隙。在室溫下，缺陷帶 PL 強度比 B2B 強度低幾個數量級[1]。