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我們提出了一種非接觸式電摻雜分析的自校準版本，它是基於對深度耗盡崩潰期間兩個電壓衰減的監測的方法的改進。 經過適當校準的小訊號交流光電壓可測量耗盡電容 CD，而相應的耗盡層電壓 V 可使用振動開爾文探針獲得。 深度耗盡是由放置在晶圓表面的電暈電荷脈衝產生的。 摻雜深度分佈是根據兩次電壓衰減獲得的 C-V 資料集計算得出的。 引入原位自校準是為了在每次測量中獲得與交流光電壓和耗盡電容相關的常數。 此常數取決於晶片表面的狀況，因此不具有普遍性。 自校準是透過電暈充電至雪崩擊穿極限並利用擊穿電壓與摻雜劑濃度的關係來實現的。 使用外延矽片說明了此方法的應用。