矽外延層複合與一代壽命表徵

我們對 p/sup +/ 和 p 基板上的矽 p 外延層進行了複合和生成壽命測量。 對於只有幾微米厚的層，複合壽命主要由表面/界面複合決定。 將 p/p 的測量值與 p/p/sup +/ 樣品的測量值耦合，可以提取外延層的壽命。 對於 p/p/sup +/ 樣品，複合壽命較不適合用來表徵外延層。 生成壽命測量非常適合外延層表徵，因為載子生成發生在僅限於外延層的空間電荷區域中，並且當與電暈電荷/開爾文探針結合使用時，可以進行非接觸式測量。

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